隨著全球暖化威脅加劇，人類逐漸意識到減少溫室氣體排放的重要性，而降低碳排放量也就成了當前重要的趨勢。不僅許多國家已經將淨零碳排列入新的政策方針中，各大全球知名品牌也開始擬定零碳路徑圖。國際知名半導體大廠英飛凌（Infineon）台灣總經理黃茂原在今年由鴻海研究院與國際半導體產業協會（SEMI）共同舉辦的NExT Forum論壇中指出，寬能隙半導體將成為提升能源效率的關鍵要素，而英飛凌也積極布局碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）的解決方案，希望能在全球暖化的議題上能貢獻自己的一份心力。

全球暖化帶來的新挑戰

黃茂原表示，在全球擁有五萬多名員工的英飛凌，將分別於兩大趨勢（Megatrend）：脫碳（Decarbonization）與數位化（Digitalization），及四大領域：汽車（Automotive）、工業電源控制(Industrial Power Control；IPC)、功率感測（Power Sensing）和傳感器/控制系統（Sensor/Control System）引領世界技術潮流，並為節能減碳貢獻一己之力。

從技術層面來看，半導體在節能減碳上扮演著舉足輕重的角色。黃茂原以「創新功率半導體打造低碳未來」作為主題，說明寬能隙半導體（亦稱第三類半導體）在技術層面上，如何成為脫碳的重要關鍵；同時，也以英飛凌為例，細數英飛凌在寬能隙半導體領域的布局成果。

Si技術不會消失，但需要化合物半導體補足

黃茂原提到，英飛凌投注了大量資源在儲能設施開發上，除了提升如光伏電站所產生的電等再生能源注入電網的效率外；在用電離峰時段儲存多餘的電能，更重要的是，了解如何在很小的土地面積内達到最高的功率密度。

其次，在電動車（EV）方面，英飛凌也提供了全套技術協助，例如OBC、Inverter、HV DCDC和能源管理。在使用英飛凌的SiC技術後，EV的駕駛距離可以增加5%到10%。黃茂原認為，5G方面最關鍵的技術指標是，能量轉換效率及基地臺的尺寸，這些同樣與功率密度有高度相關。

黃茂原表示，在半導體元件的發展上，矽材料技術不會消失，但有些缺點仍需要化合物半導體補足，例如SiC在高功率、高開關頻率有優勢，而GaN在中功率、最高開關頻率則佔有優勢。

英飛凌將持續在Si、GaN、SiC增加投入資源

黃茂原指出，英飛凌分別在德國德勒斯登及奧地利菲拉赫（Villach）擁有12英吋的矽代工廠，而在菲拉赫的6-inch及8-inch的矽產線也在今年改裝成SiC和GaN產線。此外，在馬來西亞的Kullim也將投入大於20億歐元生產的SiC和GaN功率模組，已於今年7月開始動工，預計2024完工；同時也將在馬來西亞的Melaka建設汽車專門的組裝和測試工廠。（杜長慶編譯）

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