NExT Forum

NExT Forum是由鴻海研究院所舉辦的學術論壇,邀請台灣各界專家針對關鍵科技的發展趨勢集思廣益,藉由前瞻技術與應用交流,共同定義、投資台灣產業的未來(Invent the Future)。論壇舉辦時間為每年 3/3、6/6、9/9、12/12 。

19 篇文章
​GaN元件技術開發與單晶片集成電路的開發與挑戰
觀點, NExT Forum

​GaN元件技術開發與單晶片集成電路的開發與挑戰

近年來,氮化鎵(GaN)、碳化矽 (SiC)等材料在功率半導體的應用上逐漸受到重視,主要原因在於其相較於矽基元件,具有更高的崩潰電場及崩潰電壓的承受能力,更適合應用在高功率及高頻環境下操作。但是,在實際應用面仍有許多挑戰需要克服,而GaN 的製程缺陷也是目前單片集成晶片的最大挑戰。

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面對零碳趨勢,英飛凌積極佈局第三類半導體
觀點, NExT Forum

面對零碳趨勢,英飛凌積極佈局第三類半導體

隨著全球暖化威脅加劇,人類逐漸意識到減少溫室氣體排放的重要性,而降低碳排放量也就成了當前重要的趨勢。不僅許多國家已經將淨零碳排列入新的政策方針中,各大全球知名品牌也開始擬定零碳路徑圖。國際知名半導體大廠英飛凌(Infineon)台灣總經理黃茂原在今年由鴻海研究院與國際半導體產業協會(SEMI)共同舉辦的NExT Forum論壇中指出,寬能隙半導體將成為提升能源效率的關鍵要素,而英飛凌也積極布局碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)的解決方案,希望能在全球暖化的議題上能貢獻自己的一份心力。

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牛津儀器提出新技術解決方案,以提高 GaN HEMT 性能
觀點, NExT Forum

牛津儀器提出新技術解決方案,以提高 GaN HEMT 性能

2030年,用於電力電子應用的GaN HEMT(氮化鎵高速電子遷移率場效電晶體)預估將成為價值數十億美元的產業,且在快速市場的自動駕駛汽車和數據中心中成為關鍵技術。為了實現更高效率、更小、更輕且成本更低的功率半導體,英國牛津儀器公司(OXFORD INSTRUMENTS,O.I)提出了許多解決方案。SEMICON TAIWAN 2022功率暨光電半導體論壇,邀請到英國牛津儀器公司(OXFORD INSTRUMENTS,O.I)分享目前在化合物半導體的關鍵設備開發及市場趨勢,精采內容摘要如下:

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在化合物半導體領域 台灣是否仍有一席之地?
專欄, NExT Forum

在化合物半導體領域 台灣是否仍有一席之地?

綠能、電動車、5G AIoT應用、智慧醫療與航太等產業的蓬勃發展,提升了市場對碳化矽(SiC)及氮化鎵(GaN)等化合物半導體的需求,市場研究機構Yole Intelligence Power & Wireless總監Claire Troadec日前在「NExT Forum」主題論壇上指出,雖然台灣在SiC基板領域的發展上相對落後,但在化合物半導體代工領域的表現仍傑出,而精於專業製造技術的晶圓代工廠將有機會扮演更重要的角色。

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