觀點, NExT Forum 用創新迎戰未來 – 創建永續發展的車用半導體生態系統 受疫情影響，過去兩年全球出現了相當嚴重的半導體供應鏈的短缺，為鴻海科技集團與客戶帶來相當嚴峻的挑戰與風險，在過去的兩年中，鴻海科技集團不斷調整策略與方針。時至今日，鴻海與集團夥伴已將確保半導體供應鏈的安全視為最重要的需求之一。
觀點, NExT Forum GaN元件技術開發與單晶片集成電路的開發與挑戰 近年來，氮化鎵(GaN)、碳化矽 (SiC)等材料在功率半導體的應用上逐漸受到重視，主要原因在於其相較於矽基元件，具有更高的崩潰電場及崩潰電壓的承受能力，更適合應用在高功率及高頻環境下操作。但是，在實際應用面仍有許多挑戰需要克服，而GaN 的製程缺陷也是目前單片集成晶片的最大挑戰。
觀點, NExT Forum 面對零碳趨勢，英飛凌積極佈局第三類半導體 隨著全球暖化威脅加劇，人類逐漸意識到減少溫室氣體排放的重要性，而降低碳排放量也就成了當前重要的趨勢。不僅許多國家已經將淨零碳排列入新的政策方針中，各大全球知名品牌也開始擬定零碳路徑圖。國際知名半導體大廠英飛凌（Infineon）台灣總經理黃茂原在今年由鴻海研究院與國際半導體產業協會（SEMI）共同舉辦的NExT Forum論壇中指出，寬能隙半導體將成為提升能源效率的關鍵要素，而英飛凌也積極布局碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）的解決方案，希望能在全球暖化的議題上能貢獻自己的一份心力。
觀點, NExT Forum 牛津儀器提出新技術解決方案，以提高 GaN HEMT 性能 2030年，用於電力電子應用的GaN HEMT（氮化鎵高速電子遷移率場效電晶體）預估將成為價值數十億美元的產業，且在快速市場的自動駕駛汽車和數據中心中成為關鍵技術。為了實現更高效率、更小、更輕且成本更低的功率半導體，英國牛津儀器公司（OXFORD INSTRUMENTS，O.I）提出了許多解決方案。SEMICON TAIWAN 2022功率暨光電半導體論壇，邀請到英國牛津儀器公司（OXFORD INSTRUMENTS，O.I）分享目前在化合物半導體的關鍵設備開發及市場趨勢，精采內容摘要如下：
觀點, NExT Forum 打造無法超越門檻：聚焦第三類半導體 搶攻電動車核心優勢 車用半導體已成全球企業與各國戰略布局關鍵，而積極投入第三類半導體材料與技術研發，將是決定台灣產業核心優勢的關鍵之役。
專欄, NExT Forum 在化合物半導體領域 台灣是否仍有一席之地？ 綠能、電動車、5G AIoT應用、智慧醫療與航太等產業的蓬勃發展，提升了市場對碳化矽（SiC）及氮化鎵（GaN）等化合物半導體的需求，市場研究機構Yole Intelligence Power & Wireless總監Claire Troadec日前在「NExT Forum」主題論壇上指出，雖然台灣在SiC基板領域的發展上相對落後，但在化合物半導體代工領域的表現仍傑出，而精於專業製造技術的晶圓代工廠將有機會扮演更重要的角色。
觀點, NExT Forum 6G未來的三種方向：簡繁得宜、臻善致美、跨界融合 鴻海研究院6月6日舉辦「NExT Forum」主題論壇，邀請多位國內外專家學者共同參與，分享對與新世代通訊關鍵技術與挑戰的看法。
NExT Forum, 觀點 6G訊號應用的限制與發展機會 隨著通訊技術的發展，未來在B5G/6G世代，無線通訊將全方位地滿足人類及機器等無所不在的智慧聯網，包括智慧交通、智慧物流、智慧醫療等新興產業領域，並對整個通訊產業帶來新的發展。
