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讓缺陷無所遁形 – 碳化矽元件的缺陷檢測技術
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讓缺陷無所遁形 – 碳化矽元件的缺陷檢測技術

隨著5G、電動車、再生綠能、航空等科技發展,化合物半導體的重要性也隨之提升,但是,化合物半導體的發展十分依賴智慧製造能力,智慧檢測公司科磊(KLA)主要是利用AI進行AOI智慧檢測良率,透過AI判斷是否為Killing的缺陷。科磊區域產品行銷經理周發業參加由鴻海研究院與國際半導體產業協會(SEMI)共同舉辦的NExT Forum,並於會中分享相關檢測技術。以下為精彩演講內容摘要:

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​GaN元件技術開發與單晶片集成電路的開發與挑戰
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​GaN元件技術開發與單晶片集成電路的開發與挑戰

近年來,氮化鎵(GaN)、碳化矽 (SiC)等材料在功率半導體的應用上逐漸受到重視,主要原因在於其相較於矽基元件,具有更高的崩潰電場及崩潰電壓的承受能力,更適合應用在高功率及高頻環境下操作。但是,在實際應用面仍有許多挑戰需要克服,而GaN 的製程缺陷也是目前單片集成晶片的最大挑戰。

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面對零碳趨勢,英飛凌積極佈局第三類半導體
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面對零碳趨勢,英飛凌積極佈局第三類半導體

隨著全球暖化威脅加劇,人類逐漸意識到減少溫室氣體排放的重要性,而降低碳排放量也就成了當前重要的趨勢。不僅許多國家已經將淨零碳排列入新的政策方針中,各大全球知名品牌也開始擬定零碳路徑圖。國際知名半導體大廠英飛凌(Infineon)台灣總經理黃茂原在今年由鴻海研究院與國際半導體產業協會(SEMI)共同舉辦的NExT Forum論壇中指出,寬能隙半導體將成為提升能源效率的關鍵要素,而英飛凌也積極布局碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)的解決方案,希望能在全球暖化的議題上能貢獻自己的一份心力。

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牛津儀器提出新技術解決方案,以提高 GaN HEMT 性能
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牛津儀器提出新技術解決方案,以提高 GaN HEMT 性能

2030年,用於電力電子應用的GaN HEMT(氮化鎵高速電子遷移率場效電晶體)預估將成為價值數十億美元的產業,且在快速市場的自動駕駛汽車和數據中心中成為關鍵技術。為了實現更高效率、更小、更輕且成本更低的功率半導體,英國牛津儀器公司(OXFORD INSTRUMENTS,O.I)提出了許多解決方案。SEMICON TAIWAN 2022功率暨光電半導體論壇,邀請到英國牛津儀器公司(OXFORD INSTRUMENTS,O.I)分享目前在化合物半導體的關鍵設備開發及市場趨勢,精采內容摘要如下:

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電動車產業的明日新星:碳化矽半導體
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電動車產業的明日新星:碳化矽半導體

半導體的材料隨著產品的應用和需求而不斷演進。例如,第一代半導體的主流材料是矽(Si),又稱矽晶圓; 到了第二代, 則以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)的三五族化合物半導體為主;到了第三代,則以碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)為主要材料的寬能隙(Wide Band Gap, WBG) 半導體,由於能耐高壓、高溫、高頻等特性,符合要求高能源轉換效率的5G 和電動車產品的應用需求,成為半導體新紀元的明星。

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